内存概述

内存分类

DRAM：基本存储器件是小电容，需要定期充电（刷新），存储速度较慢。
SRAM：不需要刷新，存取速度快，但功耗大，成本高，常用于存储容量不高，但要求存取速度快的场合，比如stepping stone和cache。
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内存内部结构

内存的内部如同表格，数据就存在每个单元格中。数据读写时，先指定行号（行地址），再指定列号（列地址），这张表称为Logical Bank(L-Bank)。
由于技术、成本等原因，一块内存芯片不可能把所有的单元格都做到一个L-Bank，现在内存内部基本都会分割成4个L-Bank。Alt text

内存的寻址需要提供以下几个信息：

  1. L-Bank选择信号
  2. 行地址
  3. 列地址

内存容量推导计算公式：
内存容量 = L-Bank数目 单元格数目 单元格容量
以下面这款内存芯片为例：
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其内存容量为：
64M * 16bit = 128MByte

S3C2440内存初始化

地址空间

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S3C2440芯片对外提供了27根地址线和32根数据线，单靠芯片上的27根引脚，它只能访问128MB的外设空间。为了扩大外设的访问范围，S3C2440芯片又提供了8个片选信号nGCS0~nGCS7。当某个片选信号nGCSx有效时，则可以通过27根地址线去访问对应这个芯片的128MB空间。所以2440能访问的外设空间总共为8*128=1GB，而1GB（0x40000000）以上的空间，则安排给了2440内部的寄存器，访问这些内部寄存器，则是通过32位的处理器内部总线来完成的。
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内存一般放在片选6或片选7上，所以2440的内存起始地址是从0x30000000开始。

内存芯片硬件连接

单个内存芯片数据位宽是16位，而2440本身的数据线有32根，所以2440使用两个32MB的芯片并联的方式来存储数据。

设置2440存储控制器

芯片手册第6章讲解存储控制器的相关寄存器控制，第一个寄存器是BWSCON，用于控制总线宽度和等待状态。
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按如下方式配置：

  1. 不使用UB/LB
  2. 不使用等待状态
  3. 32位数据总线宽度

需要设置Bank6和Bank7，因为只有在这两个Bank上才接了内存。

下一组寄存器是BANKCON0~BANKCON5，由于这几个BANK上没有接内存，所以不需要设置，保持默认值即可。

下面要设置的寄存器是BANKCON6和BANKCON7
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按如下方式配置：

  1. 内存类型是SDRAM，MT=11
  2. 由于MT=11，所以只需要设置0~3位，其余位保持0
  3. Trcd域，行列时序转换延时取2clock，即00，由下面的时序图可推导出结果：
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4.列地址数目，需要从内存芯片上去查找，以column为关键字查找，结果是9bit。

下一个要设置的寄存器是REFRESH，用于控制SDRAM的刷新。
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按如下方式设置：

  1. 使能刷新，REFEN=0
  2. 使用自动刷新，TREFMD=0
  3. 刷新时间2 clocks，Trp=00，从前面的内存时序图可知
  4. SDRAM一行的刷新时间是7 clocks，Tsrc=11
  5. 刷新间隔计算，直接按示例的计算结果，赋值1269.

下一个寄存器是BANKSIZE
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按如下方式配置：

  1. 打开突发模式，BURST_EN=1
  2. 打开节电模式，SCKE_EN=1
  3. SCLK_EN使用推荐配置
  4. BK76MAP按64MB设置，BK76MAP=001

下一个寄存器是MRSRB6和MRSRB7，用于设置bank6和bank7的模式
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需要设置的域只有CL，参考时序图，得到 CAS延时是3个clock（RAS变为低电平到CAS变为低电平的延时），CL=011。

编码实现

#define mem_contrl 0x48000000
init_sdram:
    ldr r0, =mem_contrl 
    add r3, r0, #4*13
    adrl r1, mem_data   @adrl用于将语句标号的地址赋值给寄存器

0:
    ldr r2, [r1], #4
    str r2, [r0], #4
    cmp r0, r3
    bne 0b   @加b表示往前跳转
    mov pc, lr

mem_data:
    .long 0x22000000 
    .long 0x00000700
    .long 0x00000700
    .long 0x00000700
    .long 0x00000700
    .long 0x00000700
    .long 0x00000700
    .long 0x00018001
    .long 0x00018001
    .long 0x008c04f5
    .long 0x000000b1
    .long 0x00000030
    .long 0x00000030

S3C6410内存初始化

地址空间

6410拥有32位地址总线，寻址空间为4GB，其中高2GB为保留区域，低2GB又可划分为两部分：主存储区和外设区。
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外设区指的是各种寄存器的地址，所有外设寄存器的地址都是从0x70000000开始。

主存储区的内存映像如下图所示：
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启动镜像区：用于启动ARM系统，并没有固定的存储介质与之对应，而是通过修改启动选项，把不同的启动介质映射到该区域，比如选择了IROM启动方式后，就把IROM映射到该区域。
内部存储区：包括IROM和ISRAM，IROM实际只有32KB，ISRAM实际只有8KB。
静态存储区：用于访问挂在外部总线上的设备，比如NOR flash、oneNand等。这个区域被分割为6个bank，每个bank128MB，数据宽度最大支持16bit，每个bank由片选Xm0CS0-Xm0CS5选中。
动态存储区：设备的主存储区，安排DDR，两个128MB区域，由片选Xm1CS0-Xm1CS1来进行2个区间的选择。

内存芯片硬件连接

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同样由两片16bit的128MB内存并联而成。

存储控制器导读

芯片手册第5章是关于存储控制器的介绍，首先查看5.4小节关于内存初始化的流程：
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相关顺序描述如下：

  1. 往memc_cmd中写入100，使DRAM进入配置模式，memc_cmd位于P1MEMCCMD寄存器。
  2. 写入时序参数，芯片配置，ID配置到相关寄存器。
  3. 等待200us，让SDRAM上电和时序稳定，但是当CPU已经开始工作时，上电和时序应该都已经稳定了，所以这一步可以省略。
  4. 执行内存初始化步骤，参考5.4.3小节。
  5. 往memc_cmd中写入000，使DRAM进入就绪模式。
  6. 检查内存状态域memc_stat直到这个域变成01，表示内存已经就绪。

5.4.3小节介绍了内存初始化的步骤，如下：

  1. 往direct_cmd中写入11（以寄存器部分的描述为准），使DRAM控制器执行NOP指令，direct_cmd位于P1 DIRECTCMD寄存器的18，19位。
  2. 往direct_cmd中写入00，执行Prechargeall命令。
  3. 往direct_cmd中写入01（以寄存器部分的描述为准），执行Autorefresh命令。
  4. 重复上一条指令一次。
  5. 往direct_cmd中写入10，执行MRS命令

下面参考uboot中关于6410内存初始化的代码进行分析，内存初始化的相关语句从mem_ctrl_asm_init标号开始。
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编码实现

.text
.global mem_init
mem_init:
    @set data pin
    ldr r0, =0x7e00f120
    mov r1, #0x0
    str r1, [r0]

    @Enter config state
    ldr r0, =0x7e001004
    mov r1, #0x4
    str r1, [r0]
    
    @Time parameter, chip configuration, id configuration
    ldr r0, =0x7e001004  @allow configuration
    mov r1, #0x4
    str r1, [r0]
    
    ldr r0, =0x7e001010  @refresh period
    ldr r1, =( ( 7800 / ( 1000000000/133000000 ) + 1 ) )
    str r1, [r0]
    
    ldr r0, =0x7e001014  @CAS latency
    mov r1, #(3 << 1)
    str r1, [r0]
    
    ldr r0, =0x7e001018  @t_DQSS
    mov r1, #0x1
    str r1, [r0]
    
    ldr r0, =0x7e00101c  @t_MRD
    mov r1, #0x2
    str r1, [r0]
    
    ldr r0, =0x7e001020   @t_RAS
    ldr r1, =( ( 45 / ( 1000000000 / 133000000 ) + 1 ) )
    str r1, [r0]
    
    ldr r0, =0x7e001024   @t_RC
    ldr r1, =( ( 68 / ( 1000000000 / 133000000 ) + 1 ) )
    str r1, [r0]
    
    ldr r0, =0x7e001028   @t_RCD
    ldr r1, =( ( 23 / ( 1000000000 / 133000000 ) + 1 ) )
    str r1, [r0]
    
    ldr r0, =0x7e00102c   @t_RFC
    ldr r1, =( ( 80 / ( 1000000000 / 133000000 ) + 1 ) )
    str r1, [r0]
    
    ldr r0, =0x7e001030   @t_RP
    ldr r1, =( ( 23 / ( 1000000000 / 133000000 ) + 1 ) )
    str r1, [r0]
    
    ldr r0, =0x7e001034   @t_RRD
    ldr r1, =( ( 15 / ( 1000000000 / 133000000 ) + 1 ) )
    str r1, [r0]
    
    ldr r0, =0x7e001038   @t_WR
    ldr r1, =( ( 15 / ( 1000000000 / 133000000 ) + 1 ) )
    str r1, [r0]
    
    ldr r0, =0x7e00103c   @t_WTR
    mov r1, #0x07
    str r1, [r0]
    
    ldr r0, =0x7e001040   @t_XP
    mov r1, #0x02
    str r1, [r0]
    
    ldr r0, =0x7e001044   @t_XSR
    ldr r1, =( ( 120 / ( 1000000000 / 133000000 ) + 1 ) )
    str r1, [r0]
    
    ldr r0, =0x7e001048   @t_ESR
    ldr r1, =( ( 120 / ( 1000000000 / 133000000 ) + 1 ) )
    str r1, [r0]
    
    ldr r0, =0x7e00100c   @内存控制配置寄存器
    ldr r1, =0x00010012   @配置控制器
    str r1, [r0]

    ldr r0, =0x7e00104c   @32位DRAM配置控制寄存器
    ldr r1, =0x0b45
    str r1, [r0]

    ldr r0, =0x7e001200   @片选寄存器
    ldr r1, =0x150f8
    str r1, [r0]

    ldr r0, =0x7e001304   @用户配置寄存器
    mov r1, #0x0
    str r1, [r0]

    @Excute memory initialization sequence
    ldr r0, =0x7e001008  @NOP
    ldr r1, =0xc0000
    str r1, [r0]
    
    ldr r0, =0x7e001008  @prechargeall
    ldr r1, =0x0        
    str r1, [r0]
    
    ldr r0, =0x7e001008  @autorefresh
    ldr r1, =0x4        
    str r1, [r0]
    
    ldr r0, =0x7e001008  @autorefresh
    ldr r1, =0x4        
    str r1, [r0]
    
    ldr r0, =0x7e001008  @MRS-EMRS muse be set
    ldr r1, =0xa0000        
    str r1, [r0]
    
    ldr r0, =0x7e001008  @MRS-MRS muse be set
    ldr r1, =0x80032        
    str r1, [r0]
    
    @Enter Ready state
    ldr r0, =0x7e001004
    mov r1, #0x0
    str r1, [r0]
    
    @Check until memory state is ready
check_ready:
    ldr r0, =0x7e001000
    ldr r1, [r0]
    mov r2, #0x3
    and r1, r1, r2
    cmp r1, #0x1
    bne check_ready

    mov pc, lr

S5PV210内存初始化

地址空间

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210使用DDR2内存芯片，内存地址空间从0x20000000开始，DRAM0大小是512MB，DRAM1大小是1GB。

内存芯片硬件连接

210内存芯片数据宽度是8bit，所以210开发板常采用8片或4片128*8bit芯片级联的办法。
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存储控制器导读

参考芯片手册section05_memory， 第1.2.1.3小节关于DDR2内存的初始化。
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编码实现

略

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